VBsemi大家在購買MOS管時,經常會聽到P溝道和N溝道,那麼什麼是P溝道MOS管呢?
mos管是一種結構設計精密的電子元件,是有效的半導體場效應電晶體元件。mos管主要分為兩種溝道N型和P型,P溝道mos管的源極和漏極之間是不相通的,當在P溝道的源極上提供足夠的正電壓時,N型矽表面就會產生P型反型層,從而形成連接漏極和源極之間的溝道,產生穩定的工作效果。
柵極上所增加的柵壓改變的話,會對溝道中聚集的電子密度造成影響,從而溝道所具有的電阻就會改變,根據這種mos管的工作原理,將其稱為P溝道增強型場效應電晶體。在N型矽表面沒有施加柵壓的情況下,P型反應層就已經出現,那麼只要在其中施加一定的偏壓就可以改變溝道內的電阻大小,這樣的P溝道mos管就稱為P溝道耗盡型mos管。另外在P溝道mos管中的空穴遷移率很低,所以在mos管的尺寸和電壓處於等值的時候,P溝道mos管就會形成小於N溝道mos管的跨導,並且mos管閾值電壓的絕對值相對於其他電晶體更高一些,因此要求工作電壓較高。在供電時,電壓大小和源極、漏極的極性也會與雙極型電晶體產生不相容性,因此在mos管工作過程中,P溝道mos管的充電和放電時間相對較長,且跨導小導致工作速度較低,而N溝道mos管電路的工作速率更高且穩定,邏輯擺幅更小。
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