發展歷程

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發展歷程

2003
公司成立
2011
能夠完整製造平面和溝槽製程的MOS
2015
完成超結MOSFET的研發並量產
2017
完成IGBT生產流程並進行量產
2020
認定為國家級高新技術企業
2022
完成SiC MOS生產流程並量產
2022
推出全新高功率SGT MOS並量產

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