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VBP112MI75 產品詳細

產品簡介:

產品簡介:
VBP112MI75是一款TO247封裝的IGBT+FRD器件,具有1200V的VCE(工作電壓),±30V的VGE(門極-發射極電壓),5.5V的VGEth(門極-發射極閾值電壓)。該產品採用FS技術,具有高性能和穩定性,適用於多種應用場景。



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產品參數:

VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) ICE VCEsat15V Technology
TO247 IGBT+FRD 1200 ±30 5.5 75 1.55 FS

詳細參數說明:
- 產品型號:VBP112MI75
- 封裝形式:TO247
- 結構類型:IGBT+FRD
- 工作電壓:1200V
- 門極-發射極電壓:±30V
- 門極-發射極閾值電壓:5.5V
- 飽和電壓(VCEsat):1.55V @ VGE=15V
- 最大連續電流(ICE):75A
- 技術:FS(Fast Switching,快速開關)

領域和模塊應用:

適用領域和模組示例:
1. 工業電力系統:VBP112MI75可用於高壓電力系統中的電源開關和變頻器控制,如電力傳輸、發電機控制等領域,提供可靠的功率調節和開關功能。
2. 電動車輛:在電動汽車和混合動力車輛的驅動系統中,VBP112MI75可以實現電池管理、電機控制和充電系統等功能,提高車輛的性能和能源利用效率。
3. 高壓直流輸電:作為高壓直流輸電系統的一部分,VBP112MI75可以實現電力轉換和電壓調節,確保電力傳輸的穩定性和可靠性。
4. 風電和太陽能逆變器:在風電和太陽能發電系統的逆變器中,VBP112MI75可以實現風機和太陽能電池板的功率轉換和電力輸出調節,提高可再生能源利用效率。

以上是VBP112MI75在各個領域和模組上的示例應用,展示了其高壓、高功率和穩定性能,適用於多種應用場景。

*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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