產品簡介:
VBE5638是VBsemi生產的Common Drain N+P型場效應電晶體，適用於多種電子應用。具有雙通道設計，可在電路中提供靈活的功率控制。

詳細參數說明:
- VDS(V): 最大漏極-源極電壓為±60V。
- VGS(±V): 門極-源極電壓範圍為±20V。
- Vth(V): 開啟電壓為1.8V（N通道）和-1.7V（P通道）。
- VGS=4.5V(mΩ): 在門極-源極電壓為4.5V時，漏極-源極電阻分別為33 mΩ（N通道）和60 mΩ（P通道）。
- VGS=10V(mΩ): 在門極-源極電壓為10V時，漏極-源極電阻分別為30 mΩ（N通道）和50 mΩ（P通道）。
- ID (A): 最大漏極電流為35A（N通道）和-19A（P通道）。
- Technology: 採用Trench技術。