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VBL2157N 產品詳細

產品簡介:

VBL2157N是VBsemi品牌的單P型場效應電晶體,具有高性能和高可靠性,在各種功率控制、電源管理和信號處理模組中都有廣泛的應用前景,能夠為不同領域的電子設備提供穩定可靠的性能支持。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO263 Single-P -150V 20(±V) -2V -40A 70 (mΩ) 65 (mΩ) Trench
具有以下主要參數:
最大漏極-源極電壓(VDS)為-150V,最大門源電壓(VGS)為±20V,閾值電壓(Vth)為-2V。
在門源電壓為4.5V時,漏極-源極電阻為70mΩ;在門源電壓為10V時,漏極-源極電阻為65mΩ。
其最大漏極電流(ID)為-40A,採用溝槽工藝(Trench)。
該產品採用TO263封裝。

領域和模塊應用:

VBL2157N電晶體適用於多種領域和模組。
例如,在電源模組中,它可以用於電源開關、DC-DC轉換器和功率放大器。由於其高漏極-源極電流和低漏極-源極電阻,該電晶體特別適合用於高功率密度的電源管理和功率控制應用。在電動汽車模組中,它可用於電機驅動器、電池管理系統和充電設備。此外,在工業自動化模組中,它可用於電源開關、電機控制和感測器介面。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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