產品簡介:
VBM165R07S是VBsemi品牌的Single N MOSFET,具有650V的耐壓能力,最大門源電壓為30V,閾值電壓為3.5V。該器件採用SJ_Multi-EPI技術,封裝為TO220。適用於各種電源和功率控制應用。
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| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp(V) | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO220 | Single-N | 650V | 30(±V) | 3.5V | 7A | 700 (mΩ) | SJ_Multi-EPI |
詳細參數說明:
- 型號:VBM165R07S
- 品牌:VBsemi
- 類型:Single N MOSFET
- 最大漏極-源極電壓(VDS):650V
- 最大門-源電壓(VGS):±30V
- 閾值電壓(Vth):3.5V
- 10V下的漏極-源極電阻(mΩ):700mΩ
- 最大漏極電流(ID):7A
- 技術:SJ_Multi-EPI
- 封裝:TO220
示例應用:
1. 電源模組:由於具有較高的耐壓和電流能力,VBM165R07S可用於電源模組中的功率開關和電壓調節器,如逆變器和穩壓器。
2. 電動車控制器:在電動車的電動控制器中,該器件可以用於電機驅動和電池管理系統,實現高效能量轉換和動力輸出控制。
3. 太陽能逆變器:在太陽能光伏系統中,VBM165R07S可用於逆變器的DC-AC轉換階段,將太陽能轉換為可用的交流電。
4. 工業自動化設備:該器件適用於工業機器人、PLC和自動化設備中的功率開關模組,提供可靠的電力控制和保護功能。
5. LED照明系統:作為LED照明系統中的功率開關器件,VBM165R07S可用於LED驅動電路,實現照明亮度的調節和節能功能。
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