產品簡介:
VBsemi推出的VBP165R38SFD是一款高性能的單N溝道MOSFET,採用SJ_Multi-EPI技術製造。它具有650V的漏源極電壓(VDS)、30V的柵源電壓(VGS)、以及3.5V的閾值電壓(Vth)。該型號的MOSFET採用TO247封裝,適用於工業電源、汽車電子、太陽能逆變器、電源管理以及LED照明等多個領域和模組,具有廣泛的應用前景和市場需求。
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| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp(V) | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO247 | Single-N | 650V | 30(±V) | 3.5V | 38A | 67(mΩ) | SJ_Multi-EPI |
詳細參數說明:
1. 漏源極電壓(VDS):650V
2. 柵源電壓(VGS):±30V
3. 閾值電壓(Vth):3.5V
4. 在VGS=10V時的漏源極電阻(mΩ):67
5. 最大漏極電流(ID):38A
6. 技術:SJ_Multi-EPI
適用領域和模組:
1. 工業電源模組:VBP165R38SFD的高漏源極電壓和大漏極電流使其成為工業電源模組的理想選擇。它可以用於各種工業應用,如變頻器、電焊機、UPS等。
2. 汽車電子系統:該MOSFET的高性能和可靠性使其適用於汽車電子系統中的功率控制模組,如電動汽車的驅動器、充電樁等。
3. 太陽能逆變器:VBP165R38SFD的高漏源極電壓和低漏源極電阻使其適用於太陽能逆變器中,能夠提供高效的能量轉換和穩定的輸出。
4. 電源管理模組:在電源管理領域,該型號的MOSFET可用於開關電源、DC-DC轉換器等模組中,實現高效能量轉換和精確的電源管理。
5. LED照明系統:VBP165R38SFD可用於LED照明系統中的功率驅動模組,提供穩定的電源和高效的能量轉換,滿足不同場景下的照明需求。
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