產品簡介：VBsemi的VBP165R41SFD是一款TO247封裝的N溝道場效應電晶體，採用SJ_Multi-EPI技術製造。它具有650V的漏極-源極電壓（VDS），41A的漏極電流（ID），30V的門源電壓（VGS），3.5V的門閾電壓（Vth），以及62mΩ的導通電阻（VGS=10V）。這款產品適用於需要高電壓和高電流的場合，如功率電子模組和驅動器。
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| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO247 | Single-N | 650V | 30（±V） | 3.5V | 41A | 62(mΩ) | SJ_Multi-EPI |
詳細參數說明：
- 電壓參數：VDS（漏極-源極電壓）為650V，VGS（門源電壓）為±30V，Vth（門閾電壓）為3.5V。
- 電流參數：ID（漏極電流）為41A。
- 技術特性：採用SJ_Multi-EPI技術。
- 導通電阻：在VGS=10V時為62mΩ。
- 封裝：TO247。
適用領域和模組舉例：
1. 工業電源模組：由於其高電壓和高電流特性，VBP165R41SFD適用於工業電源模組，可用於變頻器、UPS（不間斷電源系統）和電機驅動器等設備。
2. 太陽能逆變器：在太陽能系統中，該電晶體可以用於逆變器模組，將太陽能電池板收集的直流電轉換為交流電。
3. 電動車充電器：用於電動車充電器中的功率開關模組，支持高電壓和高電流的快速充電。
4. 高性能電源模組：在需要高性能和高可靠性的電源模組中，如伺服器電源、通信基站電源等場合，該產品也能發揮作用。
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