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VBP165R64SFD 產品詳細

產品簡介:

VBP165R64SFD是一款Single N結構的高功率MOSFET,具有650V的額定漏極-源極電壓、低閾值電壓和低漏極-源極電阻。採用SJ_Multi-EPI技術製造,TO247封裝適用於各種高功率應用場景。

產品簡介:
VBP165R64SFD是VBsemi推出的一款高性能功率MOSFET產品,具有優異的電壓承受能力和電流傳導能力。其採用先進的SJ_Multi-EPI技術製造,保證了產品的穩定性和可靠性,是各種高功率電子設備的理想選擇。適用於需要高功率承受能力、低閾值電壓和低漏極-源極電阻的場景,包括工業變頻器、高性能電源模組、汽車電力系統等領域。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO247 Single-N 650V 30(±V) 3.5V 64A 36(mΩ) SJ_Multi-EPI

參數:
- 結構類型:Single N
- 額定漏極-源極電壓(VDS):650V
- 門源電壓(VGS):±30V
- 閾值電壓(Vth):3.5V
- 漏極-源極電阻(VGS=10V):36 mΩ
- 漏極電流(ID):64A
- 技術:SJ_Multi-EPI
封裝:TO247

領域和模塊應用:

舉例說明:
1. 工業變頻器:
  由於VBP165R64SFD具有高額定漏極-源極電壓和大電流傳導能力,適合用作工業變頻器中的功率開關元件,用於實現對電機的精確控制和調速功能。

2. 高性能電源模組:
  在高性能電源模組中,需要使用高性能的功率MOSFET來實現高效的功率轉換。VBP165R64SFD的低閾值電壓和低漏極-源極電阻特性使其成為高性能電源模組中的理想選擇。

3. 汽車電力系統:
  在汽車電力系統中,需要使用高功率MOSFET來實現對各種電力系統的精確控制和調節。VBP165R64SFD的TO247封裝和高功率特性使其適用於汽車電力系統中的功率開關模組。

*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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