| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp(V) | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO247 | Single-N | 650V | 30(±V) | 3.5V | 96A | 19(mΩ) | SJ_Multi-EPI |
參數:
- 單N型場效應電晶體
- 額定漏極-源極電壓VDS(V): 650
- 門極-源極電壓VGS(±V): 30
- 閾值電壓Vth(V): 3.5
- 門極-源極電壓為10V時的導通電阻(mΩ): 19
- 最大漏極電流ID (A): 96
- 技術:SJ_Multi-EPI
封裝:TO247
舉例說明:
1. 高頻電源模組:由於其低導通電阻和高頻率特性,VBP165R96SFD適用於高功率、高頻率的電源模組,可用於設計高效率的開關電源、變頻器和無線充電設備。
2. 電力傳輸系統:在電力傳輸和分配系統中,VBP165R96SFD可用於設計高功率的開關設備,如智能電網、變電站和電力配電櫃,實現電力的安全傳輸和分配。
3. 工業驅動器:VBP165R96SFD可用作功率開關器件,用於各種工業驅動器,如電機驅動器、變頻空調系統和工業機器人,幫助實現高效能源管理和精密控制。
4. 太陽能逆變器:在太陽能逆變器中,VBP165R96SFD可用作高功率開關器件,用於太陽能電池板的電能轉換和逆變,提高逆變器的效率和可靠性。
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