產品簡介：
VBsemi的VBP16R67S是一款高性能的單N型功率MOSFET，具有優異的電性能和穩定性。該器件採用SJ_Multi-EPI技術製造，可靠性高，適用於各種工業和汽車應用。
詳細參數說明：
1. 電壓特性：VBP16R67S具有600V的最大漏極-源極電壓（VDS），可適應各種高電壓應用場景。
2. 電流特性：最大漏極電流（ID）達到67A，能夠提供大電流輸出，滿足高功率需求。
3. 開關特性：具有低導通電阻（34mΩ），VGS=10V時，適用於高頻開關模組，實現高效能的功率轉換。
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| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO247 | Single-N | 600V | 30（±V） | 3.5V | 67A | 34(mΩ) | SJ_Multi-EPI |
參數：
- 極性：Single N
- 最大漏極-源極電壓（VDS）：600V
- 最大柵極-源極電壓（VGS）：±30V
- 閾值電壓（Vth）：3.5V
- VGS=10V時的導通電阻（mΩ）：34
- 最大漏極電流（ID）：67A
- 技術：SJ_Multi-EPI
封裝：TO247
應用舉例：
1. 工業電源模組：適用於工業級電源模組，如工業UPS、變頻器和直流電源等，能夠提供穩定可靠的功率輸出。
2. 高壓電子模組：適用於高壓電子模組，如電力調節器、電動汽車充電器和電動機控制器等，能夠承受高電壓並實現穩定輸出。
3. 高頻開關模組：適用於高頻開關模組，如無線電頻率調節器、電力逆變器和變頻器等，能夠實現高效的功率開關和頻率調節。
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