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VBP16R90S 產品詳細

產品簡介:

該產品是一款單 N 型 MOSFET,具有最大漏電壓為600V和額定電流為90A的特性。採用了SJ_Multi-EPI技術,具有優異的性能和穩定性,適用於工業電機驅動、電力變換、高性能電源和高壓直流輸電等領域的各種模組設計和製造。。VGS=10V時,導通電阻為24mΩ。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO247 Single-N 600V 30(±V) 3.5V 90A 24(mΩ) SJ_Multi-EPI

參數:
- 類型:單 N 型 MOSFET
- 最大漏電壓(VDS):600V
- 最大門源電壓(VGS):±30V
- 閾值電壓(Vth):3.5V
- 額定電流(ID):90A
- 技術:SJ_Multi-EPI
- 封裝:TO247

領域和模塊應用:

產品簡介:
該產品適用於以下領域和模組:
1. 工業電機驅動模組:由於其高電壓和高電流特性,可用於設計和製造各種類型的工業電機驅動模組,如交流電機驅動器、直流電機控制器等。
2. 電力變換模組:在電力變換領域中,該產品可用於設計和製造各種類型的電力變換模組,如電力變頻器、電力調速器等,用於工業生產過程中的電力控制和調節。
3. 高性能電源模組:在高性能電源領域中,該產品可用於設計和製造各種類型的高性能電源模組,如高功率電源、直流電源等,用於工業生產和通信設備等領域。
4. 高壓直流輸電模組:在高壓直流輸電系統中,該產品可用於設計和製造高壓直流輸電模組,如換流站、逆變器等,用於長距離電力傳輸和分配。

*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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