使用 PMOS 控制大容性負載電路通斷時，怎麼實現快速關斷呢？

常規緩啟動電路（在柵源極併入電容實現緩慢開通）在關斷時 PMOS 管柵極充電慢，在帶載情況下容易損壞器件。

而通過在柵源極間並聯 10uF 電容C2實現緩啟動，同時加入快速泄放控制回路，在關斷時就能快速恢復柵源極電壓，從而實現 PMOS 的快速關斷。

我們來看它的詳細原理，S1未使能時，三極管Q2、Q1的b極無電流，Q2、Q1不導通，此時PMOS管柵極電壓、三極管Q5的基極、發射極均為60V，PMOS管不導通；

S1使能時，三極管Q1、Q2導通，此時Q5的基極為0V，發射極為40V，此時PMOS為導通狀態。

當S1斷開瞬間，三極管基極在R6的作用下快速充電至60V，此時Q5導通，60V直接通過Q5到達PMOS柵極，實現快速泄放，調節 R6 可控制泄放速度。

下圖是加入柵極泄放電路的仿真圖及柵、漏極電壓波形圖，綠色為柵極電壓波形，紅色為漏極電壓波形；

下圖是未加入（斷開 Q5 三極管發射極與 PMOS 柵極連接）的仿真圖及波形圖，波形顏色含義與上圖相同。

仿真結果顯示，加入柵極泄放回路後，柵極電壓上升時間大幅縮短，表明該電路可實現 PMOS 緩啟動電路的柵極快速泄放，加快關斷。

但在實際調試中，S1 閉合後Q5 的 E 極電壓異常，EB 極壓差超額定值；我們可以加入二極體 D1 和電阻 R1，使 Q5 的 E 極在 S1 閉合時能通過 D1 和 R1下拉到GND。