當前防燒電路中使用的 MOS 管要求 Vth（Vgs=Vds，Id=250uA）小於 1V，可通過 1.8V GPIO 完全控制，但會存在阻抗偏大、Id 較小的問題。若換用阻抗更小、Id 更大的功率 MOS 管（Vth 約 2.5V），則面臨GPIO（1.8V，未來或降至 1.2V）電壓不足的控制難題。

那怎麼解決這個問題呢？

優化方案 1：增加 2 個小信號 NMOS 管

即選用 Vth＜1.2V/1.8V 的 NMOS1 和 NMOS2，利用 3.4V 電源（電池或 VBOB）實現控制：

當GPIO=1.2V 時，NMOS1 導通（Vgs1=1.2V），使 NMOS2 關閉，3.4V 電壓加至防燒 MOS 管柵極（Vgs=3.4V），使其打開；

GPIO=0V 時，NMOS1 關閉，NMOS2 導通，防燒 MOS 管柵極電壓為 0（Vgs=0V），使其關閉

優化方案 2：增加 1 個 NMOS+1 個 PMOS

選用 Vth＜1.2V/1.8V 的 NMOS 和 PMOS，結合 3.4V 電源控制：

GPIO=1.2V 時，NMOS 導通（Vgs1=1.2V），使 PMOS 導通（Vgs2=-3.4V），3.4V 電壓加至防燒 MOS 管柵極（Vgs=3.4V），使其打開；

GPIO=0V 時，NMOS，PMOS 關閉，防燒 MOS 管柵極電壓為 0（Vgs=0V），使其關閉。