VBFB165R05S是一款單極性 N 型功率場效應電晶體（MOSFET），具有以下特點：
- 額定電壓高達650V，適用於高壓應用場景。
- 門源電壓範圍廣泛（±30V），具有良好的電壓容忍性。
- 閾值電壓較低（3.5V），有助於減少功率損耗。
- 在VGS=10V時的漏極-源極電阻為950mΩ，提供可靠的導通特性。
- 漏極電流為5A，適用於中低功率需求。
- 採用SJ_Multi-EPI技術，具有優異的熱穩定性和可靠性。
- 封裝為TO251，易於安裝和散熱。