VBsemi MOSFET

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VBN165R04 VBL2157N VBJ2658 VBE2609 VBE5638 VBC1307

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VBGQTA1101

產品特點：產品參數漏極-源極電壓（VDS）：100V門極-源極電壓（VGS）：±20V閾值電壓（Vth）：3V門極-源極電阻（VGS=1

產品應用：1.工業電源模組：VBGQTA1101適用於工業電源模組，如工控電源、直流穩壓電源等，可提供穩定的電力輸出，並具有較高的耐壓和

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VBP16R67S

產品特點：參數：- 極性：Single N- 最大漏極-源極電壓（VDS）：600V- 最大柵極-源極電壓（VGS）：±30V- 閾值電壓

產品應用：應用舉例：1. 工業電源模組：適用於工業級電源模組，如工業UPS、變頻器和直流電源等，能夠提供穩定可靠的功率輸出。

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VBP16R90S

產品特點：參數：- 類型：單 N 型 MOSFET- 最大漏電壓（VDS）：600V- 最大門源電壓（VGS）：±30V- 閾值電壓（Vth

產品應用：產品簡介：該產品適用於以下領域和模組：1. 工業電機驅動模組：由於其高電壓和高電流特性，可用於設計和製造各種類

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VBGL11505

產品特點：參數： - 電晶體類型：Single N - 額定漏極-源極電壓（VDS）：150V - 柵極-源極電壓（VGS）：±20V - 閾值

產品應用：**應用簡介和示例**：1. **電動車電機控制器**：由於VBGL11505具有高額定電壓和電流特性，適用於電動車電機控制器中的功

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VBGL7103

產品特點：產品型號: VBGL7103品牌: VBsemi參數:- Single N- VDS(V): 100- VGS(±V): 20- Vth(V): 3- VGS=10V

產品應用：應用簡介:VBGL7103是一款高性能的場效應電晶體，適用於多種領域和模組，具有以下特點：1. **電動汽車**: 由於其高電壓、

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關於微碧

實力品牌專業科技

深圳市微碧半導體有限公司

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MOSFETs場效應管製造商

VBsemi成立於2003年，經過了二十年的發展取得今天的成就，成為了行業內最值得信賴的電子元器件製造商之一。從平面和溝槽工藝發展到多層外延的超結MOSFET，從矽系列功率器件到寬帶隙資料（WBG）的使用，從MOSFET到IGBT的突破，VBsemi豐富的產品為現代科技步入人們的日常生活奠定了堅實的基礎。

21

工程技術人員

400

一線員工

60

服務團隊

應用領域

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充電器應用方案

充電器應用方案

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可擕式儲能應用方案

VBsemi,可擕式儲能應用方案

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可擕式電動工具應用方案

可擕式電動工具應用方案

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汽車空調壓縮機應用方案

VBsemi,汽車空調壓縮機應用方案

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充電樁應用方案

VBsemi,充電樁應用方案

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OBC DCDC應用方案

VBsemi, OBC DCDC應用方案

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光伏應用方案

VBsemi,光伏應用方案

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變頻器應用方案

VBsemi,變頻器應用方案

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電焊機應用方案

VBsemi,電焊機應用方案

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新聞資訊

實力品牌專業科技

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11

2024-05

慕尼黑展會-20231101-3

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11

2024-05

慕尼黑展會-20231101-2

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11

2024-05

慕尼黑展會-20231101-1

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08

2024-08

ZXMP6A13FTC-VB一款SOT23封裝的MOS管Datasheet參數視頻講解

SOT23；P—Channel溝道,-60V；-5.2A；RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-2V；
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08

2024-08

ZXMP10A13FTC-VB一款SOT23封裝的MOS管Datasheet參數視頻講解

SOT23；P—Channel溝道,-100V；-1.5A；RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-2.5V；
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08

2024-08

ZXMP10A13FTA-VB一款SOT23封裝的MOS管Datasheet參數視頻講解

SOT23；P—Channel溝道,-100V；-1.5A；RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-2.5V；
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09

2026-03

VBM16R10：TK10A60D完美國產替代，高效能應用更可靠之選

國產替代之VBM16R10 可替代 TOSHIBA(東芝) TK10A60D(STA4,X,S)
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09

2026-03

從R6042JNZ4C13到VBP16R47S：國產超結MOSFET如何重塑中大功率開關性能標杆

國產替代之VBP16R47S 可替代 ROHM(羅姆) R6042JNZ4C13
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09

2026-03

從SIJ186DP-T1-GE3到VBED1603，看國產功率MOSFET如何在緊湊封裝內實現性能躍遷

國產替代之VBED1603 可替代 VISHAY(威世) SIJ186DP-T1-GE3
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19

2025-12

高壓高效與超低功耗的平衡術：TP0610K-T1-GE3與SIHA11N80AE-GE3對比國產替代型號VB264K和VBMB18R09S的選型應用解析

TP0610K-T1-GE3 與 SIHA11N80AE-GE3 對比國產替代型號 VB264K 和 VBMB18R09S
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19

2025-12

高壓小信號與中壓開關的精准替代：TP0610K-T1-E3與IRFR1N60APBF對比國產方案VB264K和VBE165R02的選型指南

TP0610K-T1-E3 與 IRFR1N60APBF 對比國產替代型號 VB264K 和 VBE165R02
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19

2025-12

高壓小信號與中功率開關的精准之選：TN2404K-T1-GE3與IRFU110PBF對比國產替代型號VB125N5K和VBFB1102M的選型應用解析

TN2404K-T1-GE3 與 IRFU110PBF 對比國產替代型號 VB125N5K 和 VBFB1102M
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31

2025-12

功率MOSFET在航空電子與消費電子領域的精准選型與應用分析(VBTA8338,VB2101K,VBM165R15S)

VBTA8338與VB2101K與VBM165R15S三型號綜合落地應用方案
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31

2025-12

功率MOSFET在智能LED驅動與工業機器人關節控制中的優化選型與應用分析(VBTA2245N,VBM1606S,VBQF1208N)

VBTA2245N與VBM1606S與VBQF1208N三型號綜合落地應用方案
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31

2025-12

功率MOSFET在車載LED照明與資訊娛樂系統的優化選型與應用分析(VBTA2245NS,VBM185R07,VBM1201N)

VBTA2245NS與VBM185R07與VBM1201N三型號綜合落地應用方案
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新聞資訊

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公司新聞行業新聞展會視頻產品視頻國產替代應用領域科普應用場景選型推薦

微碧半導體參加2026慕尼克上海電子展

2026年7月1日至3日，慕尼克上海電子展（electronicaChina）將在上海新國際博覽中心盛大舉辦。這場電子行業的年度盛會，將聚焦產業前沿技術與發展趨勢，搭建貫穿電子產業上下游的專業交流平臺，全方位呈現行

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金馬迎春！微碧半導體2026年春節放假通知來啦！

2 月 24 日（正月初八）正式開工。放假期間，公司將暫停業務，對於因放假給您帶來的不便，我們深表歉意，節後我們會第一時間處理各項事務。

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VBsemi重申假冒聲明

近期收到客戶回饋，稱在市面上購買到的所謂微碧VBsemi MOSFET產品，因擔心產品出問題與我們聯繫確認。我們核查該產品後，認定產品不是我們的官方產品。

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