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VBQD3222U 產品詳細

產品簡介:

VBQD3222U是一款雙 N 型 + N 型場效應電晶體,適用於多種應用場景。其特點包括低閾值電壓、低漏極-源極導通電阻和高漏極-源極電壓。

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產品參數:

參數:
- 結構類型: 雙 N 型 + N 型
- 最大漏極-源極電壓 (VDS): 20V
- 最大柵極-源極電壓 (VGS): ±12V
- 閾值電壓 (Vth): 0.5~1.5V
- 在VGS=2.5V時的漏極-源極導通電阻 (RDS(on)): 28mΩ
- 在VGS=4.5V時的漏極-源極導通電阻 (RDS(on)): 22mΩ
- 最大漏極電流 (ID): 6A
- 技術: Trench
封裝: DFN8(3X2)-B

領域和模塊應用:

以下是該產品在不同領域和模組中的應用舉例:

1. 電源管理模組:
在電源管理模組中,VBQD3222U可用作開關電源的關鍵部件,以實現高效率的功率轉換和節能控制。其雙 N 型和 N 型結構使其能夠同時控制正負電壓,提供更靈活的電源調節功能。

2. 電動車輛模組:
在電動車輛模組中,VBQD3222U可用於驅動電動車輛系統中的電機和電子控制單元。其高電壓和電流能力使其能夠承受電動車輛系統中的高功率負載,並確保系統的穩定性和安全性。

3. 工業控制模組:
在工業控制模組中,VBQD3222U可用於控制和驅動各種工業設備和自動化系統。其低漏極-源極導通電阻和高閾值電壓使其能夠在工業環境中提供可靠的性能和長期穩定性。

4. 智能家居模組:
在智能家居模組中,VBQD3222U可用於控制家庭智能設備和安全系統。其小封裝和高性能使其成為智能家居系統中的理想選擇,能夠提供可靠的電源管理和控制功能。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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