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VBQD4290AU 產品詳細

產品簡介:

VBQD4290AU一款DFN8(3X2)-B封裝P+P溝道MOSFET,採用Trench技術。

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產品參數:

品牌:VBsemi
參數:
- 雙路P+P(Dual P+P)
- 柵源電壓 (VDS):-20V
- 柵源電壓 (VGS):20V
- 閾值電壓 (Vth):-0.8V
- VGS=4.5V時的漏極電阻 (mΩ):106
- VGS=10V時的漏極電阻 (mΩ):88
- 漏極電流 (ID):-4.4A
- 技術 (Technology):溝槽 (Trench)
封裝:DFN8(3X2)-B

領域和模塊應用:

VBsemi的產品適用於多種領域,具有以下特點:

1. 電源管理模組:VBsemi的器件在電源管理模組中表現優異。例如,用於電池管理系統、充電器和逆變器等模組中。這些模組需要能夠管理和調節電源的器件,而VBsemi的產品具有優秀的電壓容忍和低漏極電阻,能夠提供穩定可靠的電源管理功能,適用於各種電源管理應用場景。

2. 電路保護模組:VBsemi的產品也適用於各種電路保護模組。例如,用於超載保護、短路保護和過壓保護等模組中。這些模組需要能夠快速回應並斷開電路,以保護相關設備和電路,而VBsemi的器件具有快速回應和高功率承受能力,能夠提供有效的電路保護功能。

3. 高性能電源模組:VBsemi的產品適用於要求高性能的電源模組。例如,用於伺服器電源、通信基站和工業設備等模組中。這些模組需要穩定的電源輸出和高效能的能量轉換,而VBsemi的器件具有低漏極電阻和高電壓容忍特性,能夠提供可靠的電源管理和高效的能量轉換,適用於各種高性能電源應用場景。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

* 如果您對產品有任何問題,請填寫表格提交,我們會24小時內回復您

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