VBsemi的VBQD4290U是一款雙路P+P溝道場效應電晶體（MOSFET），是一種靈活多用、性能穩定的電子元件，適用於各種不同領域和模組的應用需求。
具有以下參數：VDS（漏極-源極電壓）為-20V，VGS（柵極-源極電壓）範圍為±20V，閾值電壓（Vth）為-0.8V。在VGS=4.5V時的導通電阻為108mΩ，在VGS=10V時為90mΩ，最大漏極電流（ID）為-4A（負數表示為P溝道器件）。
這些MOSFET採用Trench技術製造，封裝形式為DFN8(3X2)-B。