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VBQD5222U 產品詳細

產品簡介:

產品簡介:
VBsemi 的 VBQD5222U 是一款雙 N+P 型 MOSFET,具有多功能性和高性能。採用了 Trench 技術,漏極-源極電壓(VDS)為 ±20V,適用於各種應用場景。該產品封裝為 DFN8(3X2)-B,具有良好的散熱性和易於安裝的特點。

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產品參數:

詳細參數說明:
- 產品型號:VBQD5222U
- 品牌:VBsemi
- 類型:雙 N+P 型 MOSFET
- 最大漏極-源極電壓(VDS):±20V
- 最大柵極-源極電壓(VGS):±20V
- 閾值電壓(Vth):1.0V/-1.2V
- 在 VGS=4.5V 時的漏極-源極電阻(mΩ):22/45
- 在 VGS=10V 時的漏極-源極電阻(mΩ):18/40
- 最大漏極電流(ID):5.9A/-4A
- 技術:Trench
- 封裝:DFN8(3X2)-B

領域和模塊應用:

應用舉例:
該產品適用於多種領域和模組,例如:
1. 電源管理:可用於各種電源管理模組中,如電源開關、穩壓器等。
2. 電動工具:適用於電動工具中的電機控制和功率開關模組,提高工具的性能和效率。
3. 汽車電子:可用於汽車電子系統中的電源控制、驅動控制等模組,提高汽車的性能和安全性。
4. 工業自動化:適用於工業自動化系統中的電源控制、驅動控制等模組,提高生產效率和穩定性。

以上是該產品在不同領域和模組中的一些應用舉例。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

* 如果您對產品有任何問題,請填寫表格提交,我們會24小時內回復您

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