VBsemi MOSFET

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VBN165R04 VBL2157N VBJ2658 VBE2609 VBE5638 VBC1307

VBP16R67S

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VBP16R90S

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VBGL11505

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VBGL7103

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VBGL71203

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VBP16R67S

產品特點：參數：- 極性：Single N- 最大漏極-源極電壓（VDS）：600V- 最大柵極-源極電壓（VGS）：±30V- 閾值電壓

產品應用：應用舉例：1. 工業電源模組：適用於工業級電源模組，如工業UPS、變頻器和直流電源等，能夠提供穩定可靠的功率輸出。

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VBP16R90S

產品特點：參數：- 類型：單 N 型 MOSFET- 最大漏電壓（VDS）：600V- 最大門源電壓（VGS）：±30V- 閾值電壓（Vth

產品應用：產品簡介：該產品適用於以下領域和模組：1. 工業電機驅動模組：由於其高電壓和高電流特性，可用於設計和製造各種類

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VBGL11505

產品特點：參數： - 電晶體類型：Single N - 額定漏極-源極電壓（VDS）：150V - 柵極-源極電壓（VGS）：±20V - 閾值

產品應用：**應用簡介和示例**：1. **電動車電機控制器**：由於VBGL11505具有高額定電壓和電流特性，適用於電動車電機控制器中的功

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VBGL7103

產品特點：產品型號: VBGL7103品牌: VBsemi參數:- Single N- VDS(V): 100- VGS(±V): 20- Vth(V): 3- VGS=10V

產品應用：應用簡介:VBGL7103是一款高性能的場效應電晶體，適用於多種領域和模組，具有以下特點：1. **電動汽車**: 由於其高電壓、

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VBGL71203

產品特點：參數:- 單極性 N 型- VDS(V): 120- VGS(±V): 20- Vth(V): 3- VGS=10V 時的導通電阻 (mΩ): 2.8- ID (A

產品應用：這款產品適用於各種領域和模組，具體如下：1. 電源模組：由於 VBGL71203 具有較高的漏極-源極電壓和漏極電流，可用於設

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關於微碧

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深圳市微碧電晶體有限公司

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MOSFETs場效應管製造商

VBsemi成立於2003年，經過了二十年的發展取得今天的成就，成為了行業內最值得信賴的電子元器件製造商之一。從平面和溝槽工藝發展到多層外延的超結MOSFET，從矽系列功率器件到寬帶隙資料（WBG）的使用，從MOSFET到IGBT的突破，VBsemi豐富的產品為現代科技步入人們的日常生活奠定了堅實的基礎。

21

工程技術人員

400

一線員工

60

服務團隊

應用領域

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充電器應用方案

VBsemi,台灣MOSFET場效應全系列

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可擕式儲能應用方案

VBsemi,台灣MOSFET場效應全系列

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可擕式電動工具應用方案

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汽車空調壓縮機應用方案

VBsemi,台灣MOSFET場效應全系列

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充電樁應用方案

VBsemi,台灣MOSFET場效應全系列

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OBC DCDC應用方案

VBsemi,台灣MOSFET場效應全系列

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光伏應用方案

VBsemi,台灣MOSFET場效應全系列

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變頻器應用方案

VBsemi,台灣MOSFET場效應全系列

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電焊機應用方案

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新聞資訊

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11

2024-05

慕尼黑展會-20231101-3

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11

2024-05

慕尼黑展會-20231101-2

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11

2024-05

慕尼黑展會-20231101-1

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08

2024-08

ZXMP6A13FTC-VB一款SOT23封裝的MOS管Datasheet參數視頻講解

SOT23；P—Channel溝道,-60V；-5.2A；RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-2V；
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08

2024-08

ZXMP10A13FTC-VB一款SOT23封裝的MOS管Datasheet參數視頻講解

SOT23；P—Channel溝道,-100V；-1.5A；RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-2.5V；
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08

2024-08

ZXMP10A13FTA-VB一款SOT23封裝的MOS管Datasheet參數視頻講解

SOT23；P—Channel溝道,-100V；-1.5A；RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-2.5V；
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同步整流和非同步整流，到底有什麼不同？

同步整流採用低內阻的功率MOS管降低續流損耗，非同步整流由高邊MOS管和續流二極體組成。同步整流在輕負載時穩定連續工作，但電路複雜；非同步整流設計簡單，大電流時效率低，但輸入電壓高時效率高。兩者各有優缺點，

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H橋電路是如何工作的？為什麼四個開關管都選擇N管？

H橋電路由兩個半橋組成，可改變驅動負載極性以控制電機方向，通過PWM占空比調節電機轉速。工作時，通過開關Q1-Q4的導通與關閉實現電機正反轉。為防止短路，需設置死區時間。負載為感性時，需二極體或MOS管續流以快速

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當MOS管出現不完全導通，以及邊沿爬坡緩慢會出現什麼情況？

正常情況下：當MOS管在開關狀態時，開關波形應該會和控制信號電壓波形一樣標準。但是實際上柵極串聯較大的電阻以後，柵極上的充放電電流很小，對電容的充電速度變慢，MOS管出現了未完全導通，並且下一個關閉MOS管的

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