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為什麼柵極型推挽電路經常用的是上N下P,不用上P下N型?
理論上來講,上P下N型明明更有優勢,為什麼實際應用中推挽電路用的是上N下P型?左為上P下N,右為上N下P 這是上N下P型,可以看到,其輸出信號與輸入信號的相位是相同的
2024-02-03
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柵極驅動 IC 式自舉電路的設計說明
柵極驅動IC式自舉電路的設計說明自舉式電路在高電壓柵極驅動電路中是很有用的。當 VS降低到IC電源電壓VDD或下拉至地時 ,(低端開關導通,高端開關關斷)電源&nb
2024-02-02
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你不知道的五種MOS管洩漏電流以及產生原因
本文介紹了五種MOS管在實際應用中存在的漏電流:反偏結洩漏電流、柵極致漏極洩漏電流、柵極直接隧穿電流、亞閾值洩漏電流和隧穿柵極氧化層漏電流。這些漏電流會影響低功耗
2024-01-30
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MOSFET柵極-源極的下拉電阻有什麼作用?
MOSFET柵極-源極的下拉電阻有什麼作用? 米勒電容:在柵極(G)和漏極(D)之間的一個寄生電容。當MOSFET關斷時,米勒電容的存在,會使MOS管的Vds產生一個電壓從接近0
2024-01-30
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如何使用MOS管來實現分立式邏輯門?
早期時候的工藝僅僅支持NMOS來實現邏輯功能。如今採用NMOS+PMOS,是因為MOS管的佔據面積遠遠小於電阻的面積,並且具有更高的放大倍數。1.例如下麵這個比較典型的非門
2024-01-23
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IGBT的正負電壓控制,以及0V的關斷過程
IGBT在柵極和發射極之間加入正電壓就可以進行導通。不過,這個正電壓至少需要高於閾值電壓。如果柵極和發射極之間的電壓低於閾值電壓,IGBT則將關閉或者處於截止狀態。由於
2024-01-23
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常常被忽略的耗盡型功率MOSFET,真的一無是處嗎?
之前VBsemi發表過一篇《為什麼開關電源幾乎選增強型NMOS作為開關?》提到了實際應用中我們經常使用的是增強型的MOSFET。那常常被忽略的耗盡型呢?就沒有其他作用了嗎?&nbs
2024-01-19
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講完PMOS,這次來看看NMOS的防反保護電路有什麼不同?
講完PMOS,這次來看看NMOS的防反保護電路有什麼不同?簡單的柵極驅動電路設計,我們會使用NMOS來作防反電路,原因是成本較低。PMOS一般會放置在電路的高邊,NMOS則是在低邊
2024-01-18
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分享一個PMOS防反接保護電路設計
傳統的防反保護電路,一般採用的都是PMOS管。將PMOS的G極接電阻到地(GND),當輸入端連接正向電壓時,電流流過PMOS的體二極體到負載端。如果正向電壓超過PMOS的門限閾值,
2024-01-17
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寬禁帶半導體:聊聊碳化矽(大量乾貨!)
有網友讓微碧來聊聊第三代寬禁帶半導體。目前第三代半導體主要是:碳化矽SiC、氮化鎵GaN、氧化鋅ZnO這三種。而碳化矽是近幾年關注度較高的半導體器件,它主要應用在工業,
2024-01-15
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