型號: 2SJ182S-VB

絲印: VBE2610N

品牌: VBsemi

參數:

- 封裝: TO252
- 溝道類型: P—Channel
- 額定電壓(V): -60V
- 額定電流(A): -38A
- 開態電阻(RDS(ON)): 61mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓(Vth): -1.3V

封裝: TO252

重新生成的詳細參數說明和應用簡介:

2SJ182S-VB是一款P—Channel溝道MOSFET，採用TO252封裝。其主要參數包括-60V的額定電壓，-38A的額定電流，以及在不同門源電壓下的開態電阻。

**詳細參數說明:**

1. **額定電壓(V):** -60V - 這表示器件能夠在-60V的電壓下正常工作。這是一個P—Channel MOSFET，所以其額定電壓為負值。

2. **額定電流(A):** -38A - 這表示器件可以承受的最大電流為-38安培。

3. **開態電阻(RDS(ON)):** 61mΩ @ VGS=10V, VGS=20V - 這表示在不同的門源電壓下，器件的導通狀態時的電阻。在這個例子中，當門源電壓為10V或20V時，開態電阻為61毫歐姆。

4. **閾值電壓(Vth):** -1.3V - 這是器件的閾值電壓，即MOSFET開始導通的門源電壓。

**應用簡介:**

2SJ182S-VB適用於多種領域的電源和開關電路，具體包括但不限於：

1. **音頻放大器:** 由於其P—Channel溝道特性，適用於音頻放大器電路中。

2. **電源開關:** 用於電源開關電路，例如直流-直流（DC-DC）變換器。

3. **電池管理:** 可用於便攜設備和電池供電系統，有效控制電流和電壓。

4. **音頻放大器:** 由於其低開態電阻，適用於需要高電流和低失真的音頻放大器。

總的來說，2SJ182S-VB是一款中功率P—Channel MOSFET，適用於需要中等電流和低開態電阻的各種電源和開關電路應用，特別在需要較低額定電壓和中功率的場合，如音頻放大器、電源管理、電池管理等領域。