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AO8801-VB一個2個P溝道TSSOP8封裝的MOS管Datasheet參數視頻講解
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型號:AO8801-VB
絲印:VBC6P3033
品牌:VBsemi
參數:
- 2個P溝道
- 最大耐壓:-30V
- 最大漏電流:-5.2A
- 靜態導通電阻(RDS(ON)):33mΩ @ 10V, 40mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓(Vth):1V to 3V
- 封裝:TSSOP8

應用簡介:
AO8801-VB包含2個P溝道場效應電晶體,適用於中功率電子應用。它具有適度的導通電阻和耐壓特性,適合用於多種電子系統,特別是需要控制兩個P溝道的應用。

領域模組應用:
1. DC-DC轉換器模組:AO8801-VB可用於DC-DC電源轉換器,以提供有效的電能轉換。
2. 電機控制模組:在電機控制和驅動電路中,特別是需要控制兩個P溝道的應用,它能夠提供所需的電流和效率。
3. 電源管理模組:適用於中功率電源管理模組,如逆變器和電源開關控制器。

這些特性使AO8801-VB在多種中功率電子應用中有廣泛的應用。

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