型號：FDT86113LZ
絲印：VBJ1101M
品牌：VBsemi

詳細參數說明：
- 類型：N溝道MOSFET
- 最大耐壓：100V
- 最大電流：5A
- 導通電阻：100mΩ@10V, 120mΩ@4.5V
- 門源電壓：20Vgs (±V)
- 門閾電壓：2~4Vth
- 封裝：SOT223

應用簡介：
FDT86113LZ是一款N溝道MOSFET，適用於中等電壓和中等電流的應用。其最大耐壓為100V，最大電流為5A，具有低導通電阻和高性能。

該器件適用於多個領域的模組設計，主要包括：
1. 電源管理模組：適用於負責電源開關和負載開關控制的電源管理模組。
2. 照明模組：可用於LED驅動和照明控制。
3. 工業自動化模組：適用於工業自動化領域中的負載開關和電源控制。

總之，FDT86113LZ適用於中等電壓和中等電流應用領域的模組設計，包括電源管理、照明模組和工業自動化模組等。