型號: MMBF170LT1G
絲印: VB162K
品牌: VBsemi

參數說明:
- MOSFET類型: N溝道
- 額定電壓(VDS): 60V
- 額定電流(ID): 0.3A
- 開通電阻(RDS(ON)): 2800mΩ@10V, 3000mΩ@4.5V
- 閾值電壓(Vth): 1.6V
- 封裝類型: SOT23

應用簡介:
這款MMBF170LT1G MOSFET是一款低功率N溝道MOSFET，適用於低功率應用場景。它具有較低的工作電流和較高的額定電壓，適用於低功率開關和功率轉換的應用。

這款MOSFET可以廣泛應用於以下領域的模組：
- 電池管理模組：用於低功率電池充放電保護、電池管理系統等低功率電池應用。
- 小功率開關模組：用於低功率開關電路、低功率開關控制等低功率應用。
- 照明模組：用於低功率LED驅動、照明開關和控制電路等。
- 消費電子模組：用於低功率消費電子產品中的功率管理和開關模組。

總之，MMBF170LT1G MOSFET適用於需要低功率N溝道MOSFET的各種應用場景，特別適用於低功率應用的模組。