SI1967DH-T1-GE3詳細參數說明：

- 極性：2個P溝道

- 額定電壓：-20V

- 額定電流：-1.5A

- 導通電阻：230mΩ @ 4.5V, 276mΩ @ 2.5V

- 門源電壓：12Vgs (±V)

- 閾值電壓：-0.6~-2Vth (V)

- 封裝類型：SC70-6



應用簡介：

SI1967DH-T1-GE3是一款雙P溝道MOSFET，具有負的額定電壓和額定電流，適合在各種電源管理和功率放大器應用中使用。它的導通電阻適中且具有較高的性能特性，能夠提供可靠而高效的電流開關功能。



該器件通過控制12Vgs (±V)的門源電壓，實現開關管的導通和截止，實現電流的控制和開關的狀態轉換。它的導通電阻較低能夠降低功率損耗，提高系統效率。



SI1967DH-T1-GE3採用SC70-6封裝，封裝小巧，適合在空間有限的應用場景中使用。



該器件廣泛應用於電源開關、電源逆變器、電機驅動器等領域。由於其雙P溝道的特性，它可以用於控制和開關負電壓的電路，非常適用於負電源應用的需要。在這些領域中，SI1967DH-T1-GE3能夠提供可靠的功率開關控制，實現高效能的電流傳輸和開關操作。



總之，SI1967DH-T1-GE3是一款雙P溝道MOSFET，適用於電源管理和功率放大器的各種應用模組中，特別是在電源開關、電機驅動器等領域，以及需要控制和開關負電壓的電路場景中。