SI2319CDS-T1-GE3 (VB2355)參數說明：P溝道，-30V，-5.6A，導通電阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，門源電壓範圍20V(±V)，閾值電壓-1V，封裝：SOT23。
應用簡介：SI2319CDS-T1-GE3適用於功率開關和穩壓應用的P溝道MOSFET。
其低導通電阻有助於降低功率損耗，提高效率。
優勢與適用領域：具有低導通電阻，適用於要求低功率損耗和高效率的領域，如電源開關、穩壓和逆變器等模組。