型號：SUP85N03-3M6P-GE3-VB
絲印：VBM1303
品牌：VBsemi
參數：
- 溝道類型：N溝道
- 額定電壓：30V
- 最大持續電流：120A
- 靜態導通電阻 (RDS(ON))：3mΩ @ 10V, 4mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓 (Vth)：1.7V
- 封裝：TO220

詳細參數說明：
SUP85N03-3M6P-GE3-VB 是一款 N 溝道金屬氧化物半導體場效應電晶體（MOSFET）器件，具有 30V 的額定電壓和極大持續電流為 120A。它的 RDS(ON) 在不同電壓下表現出色良好，分別為 3mΩ @ 10V 和 4mΩ @ 4.5V。此外，它的閾值電壓（Vth）為 1.7V。

應用簡介：
SUP85N03-3M6P-GE3-VB 是一款高功率 N 溝道 MOSFET，適用於需要高電流承受能力的應用。它通常用於電源開關、電機控制、電源轉換器、電源逆變器、電池保護電路和其他需要高性能 MOSFET 的領域的模組。TO220 封裝使其適用於各種高功率應用，如電源放大器、電動工具、工業控制和汽車電子。這款 MOSFET 具有低導通電阻和高電流承受能力，可提供卓越的性能和高效率，是需要高功率開關的應用的理想選擇。