MOSFET

您現在的位置 > 首頁 > MOSFET

VB1102M 產品詳細

產品簡介:

VB1102M是一款單N型場效應管,適用於多種應用場景。具有高達100V的漏極-源極電壓、20V的柵極-源極電壓和1.5V的門槽電壓。在VGS=4.5V時,漏極-源極電阻為260mΩ,在VGS=10V時為240mΩ,適用於廣泛的電壓工作範圍。採用Trench技術,提供了更好的性能和可靠性。

VB1102M在不同領域和模組中的廣泛應用,說明了其在低功率、低漏極電流環境下的優越性能和適用性。

文件下載

下載PDF檔案
立即下載

產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 100V 20(±V) 1.5V 2A 260 (mΩ) 240 (mΩ) Trench
**參數:**
- **配置:** 單N型
- **漏極-源極電壓 (VDS):** 100V
- **柵極-源極電壓 (VGS) (±V):** 20V
- **門槽電壓 (Vth):** 1.5V
- **VGS=4.5V時的漏極-源極電阻 (mΩ):** 260mΩ
- **VGS=10V時的漏極-源極電阻 (mΩ):** 240mΩ
- **漏極電流 (ID):** 2A
- **技術:** Trench(溝槽型)
- **封裝:** SOT23-3

領域和模塊應用:


**適用領域和模組示例:**
1. **移動設備充電保護:** 由於VB1102M具有低漏極電流和高漏極-源極電壓特性,可用於移動設備充電保護電路中的功率開關器件。其低電阻特性有助於減少能量損耗,保護移動設備免受過電流和過壓的損害。

2. **電源管理模組:** 在電源管理模組中,需要使用低功率和高可靠性的功率開關器件。VB1102M的低漏極電流和高漏極-源極電壓特性,以及Trench技術的優勢,使其成為電源管理模組中的理想選擇。它可以提供穩定的功率輸出,確保電源管理模組的效率和可靠性。

3. **感測器介面電路:** 在感測器介面電路中,需要使用低功率且可靠的開關器件。VB1102M的低漏極電流和小封裝尺寸,使其適用於感測器介面電路中的功率開關。它可以幫助實現感測器與微控制器之間的有效通信,並提供電源保護功能。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

* 如果您對產品有任何問題,請填寫表格提交,我們會24小時內回復您

打樣申請

線上諮詢

電話諮詢

400-655-8788

微信諮詢

一鍵置頂

打樣申請
線上諮詢
電話諮詢
微信諮詢