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VB1240B 產品詳細

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產品簡介：

VB1240B是一款單N型MOSFET，主要特點包括20V的漏極-源極電壓（VDS），20V的柵極-源極電壓（VGS），0.5~1.5V的閾值電壓（Vth），25mΩ（VGS=2.5V）和20mΩ（VGS=4.5V）的導通電阻（RDS(on)），以及6A的漏極電流（ID）。採用Trench工藝製造，封裝為SOT23-3。

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產品參數：

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp（V） ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 20V 20（±V） 0.5~1.5V 6A 25(mΩ) 20 (mΩ) Trench
產品型號：VB1240B
品牌：VBsemi
參數：
- 單N型
- VDS(V)：20
- VGS(±V)：20
- Vth(V)：0.5~1.5
- RDS(on) VGS=2.5V(mΩ)：25
- RDS(on) VGS=4.5V(mΩ)：20
- ID (A)：6
- Technology：Trench
封裝：SOT23-3

領域和模塊應用：

由於其低閾值電壓、低導通電阻和較高的漏極電流，VB1240B適用於多種領域的電路設計和模組應用。例如，
在低功耗電子設備中，可用於電源管理模組中的功率開關；在LED照明驅動器中，可作為LED驅動電路中的開關管；在電動車輛電路中，可用於電池管理系統中的充放電控制模組；在工業自動化中，可用於電機控制和電源開關模組等領域。
*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援：

* 如果您對產品有任何問題，請填寫表格提交，我們會24小時內回復您

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