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VB264K 產品詳細

產品簡介:

VB264K是VBsemi品牌的單路P型金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)。VB264K的高性能和可靠性使其在各種消費電子和醫療應用中都能發揮重要作用。
該器件採用SOT23-3封裝。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-P -60V 20(±V) -1.7V -0.5A 4000 (mΩ) 3000 (mΩ) Trench
該器件採用槽溝技術製造,具有以下主要參數:

- 額定漏極-源極電壓(VDS):-60V
- 門-源電壓(VGS)範圍:±20V
- 閾值電壓(Vth):-1.7V
- 門-源電壓為4.5V時的漏極-源極電阻(RDS(on)):4000mΩ
- 門-源電壓為10V時的漏極-源極電阻(RDS(on)):3000mΩ
- 最大漏極電流(ID):-0.5A

領域和模塊應用:

槽溝技術的應用使其在各種應用中具有出色的性能。例如,
在電源管理模組中,VB264K可用於低功率開關電源、電源管理IC等領域。
其高閾值電壓和低導通電阻使其特別適用於需要低功耗和高效率的應用,如可攜式電子設備中的電池管理模組、感測器節點等。
此外,其小尺寸和輕量化設計也使其成為醫療器械、可攜式醫療設備等領域的理想選擇。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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