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UTT4407G-S08-R-VB 產品詳細

產品簡介:

VBsemi P-溝道MOSFET UTT4407G-S08-R-VB 具有-30V的電壓額定值,-11.6A的電流承受能力,以及在VGS=10V,12mΩ@VGS=4.5V;
和VGS=±20V時的低RDS(ON)為11mΩ。該器件採用SOP8封裝,印有識別字VBA2311。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-P-Channel -30V -2.5V -11.6A 12(mΩ) 11(mΩ) Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-P-Channel Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-P-Channel -30V -2.5V -11.6A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-P-Channel -30V -2.5V -11.6A Trench
**詳細規格:**
- 電壓額定值:-30V
- 電流承受能力:-11.6A
- RDS(ON):在VGS=10V,12mΩ@VGS=4.5V;
和VGS=±20V時為11mΩ
- 閾值電壓(Vth):-2.5V

**封裝:**
- SOP8

領域和模塊應用:

**應用範圍:**
1. **電源逆變器:** 適用於電源逆變器,可有效管理負載,實現高效的能量轉換。

2. **電源開關模組:** 在電源開關模組中可用於可靠的電源開關控制。

3. **電池保護電路:** 用於設計電池保護電路,確保電池安全運行。

4. **汽車電子系統:** 具備負載驅動能力,可應用於汽車電子系統中的電源管理和控制。

**注意:** 為了獲得最佳性能,請確保相容性並遵循數據手冊中的推薦工作條件。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

* 如果您對產品有任何問題,請填寫表格提交,我們會24小時內回復您

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