MMDF3P03HDR-VB - VBsemi MOSFETs製造商

MMDF3P03HDR-VB 產品詳細

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### 產品簡介

MMDF3P03HDR-VB 是 VBsemi 公司生產的一款 P 溝道 MOSFET，具有良好的性能和可靠性。它採用 SOP8 封裝，適用於多種領域和模組的應用。

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產品參數：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SOP8	Dual-P+P-Channel	-30V		-1.7V	-7.3A		45(mΩ)	35(mΩ)	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
SOP8	Dual-P+P-Channel						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
SOP8	Dual-P+P-Channel	-30V		-1.7V	-7.3A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
SOP8	Dual-P+P-Channel	-30V		-1.7V	-7.3A		Trench

### 詳細參數說明

- 極性：P 溝道
- 最大漏極電壓：-30V
- 最大漏極電流：-7.3A
- 開啟電阻：35mΩ @ VGS=10V, 45mΩ @ VGS=4.5V
- 柵極-源極電壓：20V
- 閾值電壓：-1.7V

領域和模塊應用：

### 應用示例

1. **電源管理模組**：MMDF3P03HDR-VB 可用於電源管理模組中的功率開關，用於電池保護、充放電控制等。
2. **驅動器模組**：適用於驅動器模組中的功率開關，如電機驅動、LED 驅動等。
3. **穩壓模組**：可用於穩壓模組中的開關電路，提供穩定的輸出電壓。
4. **照明模組**：用於 LED 照明模組中的驅動電路，提供高效的電能轉換和控制。

以上是一些示例，實際應用取決於具體的電路設計和要求。

*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援：

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