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MI4807-VB 產品詳細

產品簡介:

MI4807-VB是一款P-Channel MOSFET,具有兩個溝道,適用於負載開關和功率管理應用。其最大耐壓達到-30V,最大漏極電流為-7.3A,具有低導通電阻,典型值為35mΩ。此外,閾值電壓為-1.7V,適用於低壓驅動應用。該器件採用SOP8封裝,具有良好的散熱性能和高密度集成特性。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-P+P-Channel -30V -1.7V -7.3A 45(mΩ) 35(mΩ) Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-P+P-Channel Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-P+P-Channel -30V -1.7V -7.3A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-P+P-Channel -30V -1.7V -7.3A Trench
型號:MI4807-VB
絲印:VBA4338
品牌:VBsemi

參數:
- 2個P-Channel溝道
- 最大耐壓:-30V
- 最大漏極電流:-7.3A
- 典型導通電阻:35mΩ @ VGS=10V,45(mΩ)@VGS=4.5V;,
VGS=20V
- 閾值電壓:-1.7V

封裝:SOP8

領域和模塊應用:

MI4807-VB適用於各種需要P-Channel MOSFET的應用場景,特別適用於負載開關和功率管理領域。例如,可用於電源管理模組中的功率開關電路、直流-直流轉換器、電池充放電管理等。另外,由於其性能優越,還可廣泛應用於可攜式設備、汽車電子、工業自動化等領域的功率控制電路中,以提高系統的效率和性能。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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