產品簡介：
UPA2793GR-VB是一款N+P溝道功率場效應電晶體（MOSFET），同時具有N溝道和P溝道特性，適用於雙極性工作環境。其低靜態漏電阻和高工作電壓使其在多種功率控制電路中表現出色。
文件下載
產品參數：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P-Channel |
±60V |
|
1.8/-1.7V |
5.3/-4.9A |
|
29/60(mΩ) |
26/55(mΩ) |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P-Channel |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P-Channel |
±60V |
|
1.8/-1.7V |
5.3/-4.9A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P-Channel |
±60V |
|
1.8/-1.7V |
5.3/-4.9A |
|
Trench |
產品型號: UPA2793GR-VB
絲印: VBA5638
品牌: VBsemi
參數:
- N+P—Channel溝道
- 工作電壓: ±60V
- 最大工作電流: 5.3A (正電壓), -4.9A (負電壓)
- 靜態漏電阻: RDS(ON)=26/55(mΩ) (在VGS=10V，29/60(mΩ)@VGS=4.5V), RDS(ON)= (在VGS=±20V)
- 門源極閾值電壓: Vth=±1.9V
領域和模塊應用：
應用領域:
1. 電源管理: 該產品可用於電源管理模組中的功率開關，如直流穩壓電源、開關電源等，實現高效率的電能轉換和穩定的電源輸出。
2. 電動車輛: 在電動車輛的電源管理系統中，UPA2793GR-VB可用作電動車輛電池管理模組的功率開關，實現高效率的電池充放電控制。
3. 工業控制: 適用於工業控制設備中的電源控制模組，如工業變頻器、電機驅動器等，實現精確的功率控制和高效率的能源利用。
例子:
- 在直流穩壓電源中，UPA2793GR-VB可用作開關電源模組的功率開關，實現高效率的直流電能轉換和穩定的輸出電壓，適用於通信設備、工控設備等領域。
- 在工業電動車輛中，該產品可用於電動車輛電池管理系統的功率開關，實現對電池充放電過程的精確控制，延長電池壽命並提高車輛行駛里程。
*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性
技術支援：
* 如果您對產品有任何問題，請填寫表格提交，我們會24小時內回復您
立即下載
中文
English
返回上級頁面
