型號: LNTR4003NLT1G-VB

絲印: VB1330

品牌: VBsemi

參數:
- 封裝類型: SOT23-3
- 溝道類型: N-Channel
- 額定電壓: 30V
- 額定電流: 6.5A
- 開通電阻: RDS(ON) = 30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓: Vth = 1.2~2.2V

封裝: SOT23-3

詳細參數說明和應用簡介:

LNTR4003NLT1G-VB是一款N-Channel溝道場效應電晶體，封裝為SOT23-3。該器件具有30V的額定電壓，6.5A的額定電流，以及低的開通電阻（RDS(ON) = 30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V）。閾值電壓Vth在1.2~2.2V範圍內。

**應用領域:**
1. **電源管理模組:** 適用於電源開關和調節電路，提供高效的功率轉換。
2. **電機驅動:** 在電機控制和驅動模組中，用於實現高效的電機運行。
3. **LED驅動:** 在LED照明應用中，可用於控制和調節LED的亮度。
4. **電源逆變器:** 用於製造高效的逆變器，將直流電源轉換為交流電源。

LNTR4003NLT1G-VB適用於需要高性能N-Channel溝道MOSFET的多種應用，包括但不限於上述提到的領域。其性能特點使其成為各種電子系統中的理想選擇。