**KFN-VB**

- **絲印：** VB1330
- **品牌：** VBsemi
- **參數：**
- 封裝：SOT23-3
- 溝道類型：N—Channel
- 額定電壓：30V
- 額定電流：6.5A
- 開通電阻：RDS(ON) = 30mΩ @ VGS = 10V, VGS = 20V
- 閾值電壓：Vth = 1.2~2.2V

- **應用簡介：**
- **領域：** 電源管理、電源適配器、工業控制等。
- **模組應用：** 適用於SOT23-3封裝的電路板和模組設計，特別在需要N溝道場效應電晶體的場景。

**詳細參數說明：**
KFN-VB是一款N—Channel溝道場效應電晶體，設計用於電源管理、電源適配器和工業控制等領域。其採用SOT23-3封裝，額定電壓為30V，額定電流為6.5A，具有低開通電阻(RDS(ON) = 30mΩ)，在不同電壓(VGS=10V、VGS=20V)下表現優異。閾值電壓(Vth)在1.2~2.2V範圍內，提供了設計的靈活性。

這款場效應電晶體適用於需要N溝道場效應電晶體的電源管理和工業控制電路。其可靠的性能和SOT23-3封裝使其成為電子工程師在小型電路板和模組設計中的理想選擇。