產品簡介:
**應用簡介:**
AP6679BGM-VB是一款P溝道MOSFET電晶體,具有負電壓承受能力和低導通電阻,適用於多種應用領域。
AP6679BGM-VB適用於需要負電壓承受和開關控制的應用,如電源管理、電機控制、LED照明、電池保護和電子開關等領域的模組。其參數使其成為各種電子設備中的理想選擇,以確保高效、可靠和穩定的運行,並提供精確的電路控制。
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產品參數:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOP8 |
Single-P |
-30V |
|
-2.5V |
-13.5A |
|
15(mΩ) |
11(mΩ) |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SOP8 |
Single-P |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SOP8 |
Single-P |
-30V |
|
-2.5V |
-13.5A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SOP8 |
Single-P |
-30V |
|
-2.5V |
-13.5A |
|
Trench |
型號: AP6679BGM-VB
絲印: VBA2309
品牌: VBsemi
**詳細參數說明:**
- 通道類型: P溝道
- 額定電壓: -30V
- 最大持續電流: -11A
- 導通電阻 (RDS(ON)): 11mΩ @ 10V, 15mΩ @ 4.5V, ±20Vgs
- 閾值電壓 (Vth): -1.5V
- 封裝類型: SOP8
領域和模塊應用:
以下是該產品在不同領域模組上的應用:
1. **電源管理模組**:
AP6679BGM-VB的負電壓承受能力和低導通電阻使其成為電源管理模組的理想選擇,特別適用於負電壓開關和反向電源保護。
2. **電機控制模組**:
在電機控制應用中,這款MOSFET電晶體可用於電機驅動模組,用於控制電機的啟停、速度調節和反向運行。其高電流承受能力使其適用於高性能電機控制。
3. **LED照明**:
AP6679BGM-VB可用於LED照明模組,用於控制LED燈的亮度和顏色。其低導通電阻有助於減小功率損耗,提供高效的照明解決方案。
4. **電池保護模組**:
該電晶體可用於電池管理和保護模組,用於控制電池充電和放電的開關,確保電池的安全和延長壽命。
5. **電子開關**:
AP6679BGM-VB是理想的電子開關,可用於各種應用,如電子鎖、繼電器、開關電路和電子控制器,以控制電路的通斷狀態。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性
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