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AP6679GM-VB 產品詳細

產品簡介:



應用簡介:
AP6679GM-VB是一款P溝道MOSFET(金屬氧化物半導體場效應電晶體),適用於負電壓電源開關和電路中的功率開關應用。

AP6679GM-VB MOSFET適用於需要P溝道MOSFET的負電壓電源開關和負電壓電路中的應用。這種組件有助於實現負電壓電源的控制和保護,適用於各種模組和電路,以滿足不同負電壓電源需求。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-P -30V -2.5V -13.5A 15(mΩ) 11(mΩ) Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-P -30V -2.5V -13.5A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-P -30V -2.5V -13.5A Trench
型號:AP6679GM-VB
絲印:VBA2309
品牌:VBsemi
參數:
- 溝道類型:P溝道
- 額定電壓:-30V
- 最大連續電流:-11A
- 靜態導通電阻(RDS(ON)):11mΩ @ 10V, 15mΩ @ 4.5V, ±20Vgs (±V)
- 閾值電壓(Vth):-1.5V
- 封裝類型:SOP8

領域和模塊應用:

以下是一些可能的應用領域:

1. 電源開關:P溝道MOSFET通常用於負電壓電源開關,可以用於反向電源保護,例如電池電源開關和電源逆變器。

2. DC-DC轉換器:它可以用於直流到直流(DC-DC)轉換器中,將電壓降低或升高,以適應特定電子設備的需求。

3. 負電壓電路:適用於負電壓電路中,如負電壓電源管理、電壓反轉器和負電壓逆變器。

4. 電池保護:P溝道MOSFET可以用於電池電路中,以實現電池的充電和保護功能。

5. 負電壓電源控制:適用於負電壓電源控制,如負電壓直流電源控制、電源切斷等。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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