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SI9435BDY-T1-E3-VB 產品詳細

產品簡介:



詳細參數說明:
SI9435BDY-T1-E3-VB是一款P溝道的MOSFET(金屬-氧化物-半導體場效應電晶體),主要用於負責在特定應用中控制電流的關鍵元件。該器件的工作電壓範圍為-30V,工作電流可達-6A。在10V下,其導通電阻為40mΩ;在4.5V下,其導通電阻為54mΩ。門源電壓範圍為±±20V,閾值電壓為-1.5V。器件封裝為SOP8。

應用簡介:
SI9435BDY-T1-E3-VB常用於各種電子設備和模組中的開關電路、功率放大電路等場合,以實現對電流的精確控制。該MOSFET具有低導通電阻和快速開關特性,適用於要求高效能和回應速度的應用場景。


SI9435BDY-T1-E3-VB是一款P溝道MOSFET,具有低導通電阻、快速開關特性,可適用於多個領域的功率開關電路、電源管理、電子調光和電機驅動等應用場景。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-P -30V -1.7V -5.8A 56(mΩ) 33(mΩ) Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-P -30V -1.7V -5.8A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-P -30V -1.7V -5.8A Trench
型號: SI9435BDY-T1-E3-VB
絲印: VBA2333
品牌:VBsemi

參數:
- P溝道
- 工作電壓:-30V
- 工作電流:-6A
- 導通電阻:40mΩ(在10V下)
- 導通電阻:54mΩ(在4.5V下)
- 門源電壓:±±20V
- 閾值電壓:-1.5V
- 封裝:SOP8

領域和模塊應用:

其主要應用領域包括但不限於:

1. 電源管理:該MOSFET可用於電力轉換、開關模式電源和電源控制器中的功率開關電路。
2. 電子調光:可應用在LED照明設備、背光模組、觸摸開關等場合,實現對燈光亮度的調節和控制。
3. 電荷控制:可用於電池充電和放電保護電路、USB充電器等場合,對電流進行準確的控制和管理。
4. 電機驅動:適用於電動工具、無刷直流電機和步進電機等電機控制電路中,實現對電機的高效驅動。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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