推广型号

您現在的位置 > 首頁 > 推广型号

NCE55P04S-VB 產品詳細

產品簡介:



應用簡介:
NCE55P04S-VB 是一款具有2個P溝道的MOSFET,適用於需要高性能功率開關的電子應用。

NCE55P04S-VB 具有2個P溝道,適用於需要同時控制兩個P溝道MOSFET的應用,以實現高性能功率開關。在實際應用中,請務必遵守數據手冊中的電氣規格和工作條件,以確保最佳性能和可靠性。

文件下載

下載PDF檔案
立即下載

產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-P+P -60V -1.7V -5.3A 60(mΩ) 54(mΩ) Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-P+P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-P+P -60V -1.7V -5.3A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-P+P -60V -1.7V -5.3A Trench
型號:NCE55P04S-VB
絲印:VBA4658
品牌:VBsemi
參數:
- 溝道類型:2個P溝道
- 額定電壓:-60V
- 最大連續電流:-5.3A
- 靜態開啟電阻(RDS(ON)):58mΩ @ 10V, 70mΩ @ 4.5V
- 門源極電壓(Vgs):±20V(±V)
- 閾值電壓(Vth):-1V 至 -3V
- 封裝類型:SOP8

領域和模塊應用:

以下是一些可能的應用領域模組:

1. **電源開關模組**:該MOSFET可用於電源開關模組,以實現高效電源的開關和調節。它適用於便攜設備、電源管理系統和低電壓電源應用。

2. **電池保護模組**:在需要保護電池免受過放電和過充電的應用中,NCE55P04S-VB 可用於電池保護電路,確保電池的安全運行。

3. **DC-DC變換器**:在需要高效的DC-DC變換器中,這款MOSFET可用於幫助實現電壓升降和電能轉換。它適用於可攜式設備、通信設備和工業應用。

4. **電機驅動模組**:NCE55P04S-VB 可用於電機驅動和控制模組,包括直流電機、步進電機和無刷直流電機驅動。

5. **電流控制模組**:在需要高性能電流控制的應用中,這款MOSFET可以用於電流感測器和電流放大器模組。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

* 如果您對產品有任何問題,請填寫表格提交,我們會24小時內回復您

打樣申請

QQ諮詢

電話諮詢

400-655-8788

微信諮詢

一鍵置頂

打樣申請
線上諮詢
電話諮詢
微信諮詢