產品簡介:
**詳細參數說明:**
- **溝道類型:** N+P—Channel
- **最大承受電壓:** ±30V
- **最大電流:** 9A(正向) / -6A(反向)
- **導通電阻:** 15mΩ(在VGS=10V時,正向) / 42mΩ(在
--VGS=±20V時,反向)
- **閾值電壓:** ±1.65V
**應用簡介:**
該器件為 N+P—Channel 溝道的 MOSFET,適用於需要同時控制正向和反向電流的模組。可用於功率開關、電流控制和反向保護等應用。
**作用:**
- 控制正向和反向電流。
- 在功率開關和反向保護電路中發揮關鍵作用。
**使用注意事項:**
1. **電壓和電流限制:** 不要超過規定的最大電壓和電流。
2. **極性注意:** 注意 N+P—Channel 溝道器件的正反電流特性。
3. **靜電防護:** 在處理和安裝時採取防靜電措施,以免損壞器件。
如有需要進一步瞭解或有其他問題,請告訴我。
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產品參數:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
±30V |
|
1.6/-1.7V |
±8A |
|
24/50(mΩ) |
18/40(mΩ) |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
±30V |
|
1.6/-1.7V |
±8A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
±30V |
|
1.6/-1.7V |
±8A |
|
Trench |
**AO4606A-VB**
**絲印:** VBA5325
**品牌:** VBsemi
**參數:** SOP8;N+P—Channel溝道, ±30V;9A / -6A;RDS(ON)=15mΩ / 42mΩ@VGS=10V,
--VGS=±20V;Vth=±1.65V
**封裝:** SOP8
領域和模塊應用:
**使用領域模組:**
1. **功率開關模組:** 用於構建高效能的功率開關,實現電流的正向和反向控制。
2. **電流控制模組:** 在需要準確控制電流方向的電路中使用,確保電流穩定。
3. **反向保護模組:** 用於防止反向電流對電路和設備的損壞。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性
技術支援:
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