產品簡介:
應用簡介:
FDG6316P-VB是一款雙P溝道MOSFET,適用於多種電子設備和電路中。它在一些特定領域的模組中具有廣泛的應用。
FDG6316P-VB是一款雙P溝道MOSFET,適用於信號開關、電池管理、低功耗電路和信號放大等領域的模組。其雙P溝道設計和低功耗特性使其成為一種有效的電子元件,可用於提高電路的性能和效率。
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產品參數:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SC70-6 |
Dual-P+P |
-20V |
|
-0.6V |
-1.8A |
235(mΩ) |
155(mΩ) |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SC70-6 |
Dual-P+P |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SC70-6 |
Dual-P+P |
-20V |
|
-0.6V |
-1.8A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SC70-6 |
Dual-P+P |
-20V |
|
-0.6V |
-1.8A |
|
Trench |
型號:FDG6316P-VB
絲印:VBK4223N
品牌:VBsemi
參數說明:
- MOSFET類型:2個P溝道
- 額定電壓:-20V
- 最大電流:-1.5A
- 導通電阻(RDS(ON)):230mΩ @ 4.5V, 276mΩ @ 2.5V, 12Vgs
- 閾值電壓(Vth):-0.6~-2V
- 封裝:SC70-6
領域和模塊應用:
**應用領域和模組說明:**
1. **信號開關模組**:
- 由於其雙P溝道特性,FDG6316P-VB可用於信號開關模組,控制信號線的連接和斷開。
- 在低功耗電子設備中,如智能手機、平板電腦等,用於開關各種信號線,以實現省電和自動化控制。
2. **電池管理模組**:
- 該MOSFET適用於電池管理模組中的電池充電和放電控制。
- 在可攜式電子設備、筆記本電腦、電動工具等中,用於實現安全的電池管理和充電。
3. **低功耗電路**:
- FDG6316P-VB的低閾值電壓和雙P溝道設計使其在低功耗電路中非常有用。
- 在需要高度集成的低功耗感測器模組和微控制器電路中使用,以實現更長的電池壽命。
4. **信號放大模組**:
- 在某些音頻和信號放大模組中,FDG6316P-VB可用於控制信號通路,實現信號的放大和處理。
- 在音響設備、音頻放大器等領域有應用潛力。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性
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