DMG1012T-VB - VBsemi MOSFETs製造商

DMG1012T-VB 產品詳細

應用簡介：DMG1012T適用於低功率應用，如信號開關和電流控制。
其低導通電阻和小封裝有助於降低功率損耗和節省空間。

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SC75-3	Single-N	20V		0.5~1.5V	0.85A	390（mΩ）	270(mΩ)		Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
SC75-3	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
SC75-3	Single-N	20V		0.5~1.5V	0.85A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
SC75-3	Single-N	20V		0.5~1.5V	0.85A		Trench

DMG1012T (VBTA1220N)參數說明：N溝道，20V，1A，導通電阻200mΩ@4.5V，230mΩ@2.5V，12Vgs(±V)，閾值電壓0.6V，封裝：SC75-3。

適用領域與模組：適用於低功率信號開關、電流控制和模擬開關等領域模組，特別適合要求節省空間的場景。

*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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