2. 參數說明：
- VDS：100V是該MOSFET的最大漏極-源極電壓，超過這個電壓可能導致器件損壞。
- VGS：20V（±）是該MOSFET的最大柵極-源極電壓範圍，超過這個範圍可能導致器件損壞。
- Vth：3V是該MOSFET的閾值電壓，即當柵極電壓高於3V時，MOSFET開始導通。
- RDS(ON)：在VGS=10V時為5mΩ，這表示當柵極電壓為10V時，MOSFET的靜態漏極-源極電阻為5mΩ，這決定了MOSFET的導通時的電阻大小。
- ID：120A是該MOSFET的最大連續漏極電流，超過這個電流可能導致器件過熱損壞。