072N03S-VB - VBsemi MOSFETs製造商

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產品參數：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SOP8	Single-N-Channel	30V		1.7V	13A		11mΩ	8mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
SOP8	Single-N-Channel						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
SOP8	Single-N-Channel	30V		1.7V	13A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
SOP8	Single-N-Channel	30V		1.7V	13A		Trench

2. 參數說明：
- VDS：30V是該MOSFET的最大漏極-源極電壓，超過這個電壓可能導致器件損壞。
- VGS：20V（±）是該MOSFET的最大柵極-源極電壓範圍，超過這個範圍可能導致器件損壞。
- Vth：1.7V是該MOSFET的閾值電壓，即當柵極電壓高於1.7V時，MOSFET開始導通。
- RDS(ON)：在VGS=4.5V時為11mΩ，在VGS=10V時為8mΩ，這表示在不同柵極電壓下，MOSFET的靜態漏極-源極電阻不同。
- ID：13A是該MOSFET的最大連續漏極電流，超過這個電流可能導致器件過熱損壞。

領域和模塊應用：

3. 應用領域和模組示例：
- 電源模組：由於072N03S-VB具有較低的漏極-源極電阻和較高的漏極電流能力，適用於高性能電源模組，如伺服器電源和通信設備電源。
- 汽車電子系統：可用於汽車電子系統中的DC-DC轉換器和電池管理系統，由於其高電流能力和低導通電阻，提供高效的電能轉換和管理。
- 工業控制模組：由於其高電壓和電流能力，適用於工業控制系統中的開關控制器和逆變器，確保系統的穩定性和高效運行。

請注意，以上示例僅用於說明該MOSFET可能的應用領域和模組，實際應用需根據具體設計要求進行評估。

*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援：

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