097N04L-VB - VBsemi MOSFETs製造商

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產品參數：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
DFN8(3X3)	Single-N-Channel	40V		2.5V	40A		6mΩ	4.5mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
DFN8(3X3)	Single-N-Channel						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
DFN8(3X3)	Single-N-Channel	40V		2.5V	40A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
DFN8(3X3)	Single-N-Channel	40V		2.5V	40A		Trench

詳細參數說明：
- 封裝：DFN8(3X3)
- 結構：單路N溝道
- VDS（漏極-源極電壓）：40V
- VGS（柵極-源極電壓）：20V（±）
- 閾值電壓（Vth）：2.5V
- RDS(ON)（導通電阻）：6mΩ @ VGS=4.5V，4.5mΩ @ VGS=10V
- 最大漏極電流（ID）：40A
- 工藝技術：槽溝技術（Trench）

領域和模塊應用：

應用示例：
1. 電源模組：用於電源管理模組和DC-DC轉換器中的功率開關。
2. 電動工具：用於電動工具的電機驅動。
3. 汽車電子：用於汽車電子系統中的電源管理和電機控制。
4. 工業控制：用於工業自動化和機械設備控制中的功率開關。

這些示例表明，097N04L-VB適用於需要高電壓和高電流驅動的各種應用領域和模組，特別適合於小尺寸和高功率密度要求的應用場合。

*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援：

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