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10N03L-VB 產品詳細

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N-Channel 30V 1.7V 120A 4mΩ 3mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N-Channel Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N-Channel 30V 1.7V 120A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N-Channel 30V 1.7V 120A Trench
**詳細參數說明:**
- 封裝:TO220
- 極性:N溝道
- 漏極-源極電壓(VDS):30V
- 柵極-源極電壓(VGS):±20V
- 閾值電壓(Vth):1.7V
- 導通電阻(RDS(ON)):4mΩ @ VGS=4.5V,3mΩ @ VGS=10V
- 漏極電流(ID):120A
- 技術:槽溝道(Trench)

領域和模塊應用:

**適用領域和模組:**
- 電源管理:10N03L-VB適用於需要低電壓和大電流的電源管理,例如電源開關、電池管理系統等。
- 電機控制:由於其高漏極電流和低導通電阻,這款MOSFET可以用於電機驅動電路中,實現高效率的電機控制。
- LED驅動:在需要高電流驅動LED的應用中,10N03L-VB可以用作LED驅動電路中的開關元件,實現高亮度的LED照明。
- 逆變器:對於需要高效率的逆變器,10N03L-VB可以用作逆變器的關鍵元件,實現高效率的能量轉換。

以上只是一些例子,實際上,10N03L-VB還可以用於許多其他領域和模組,具體取決於應用的要求和設計的需要。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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