10N40G-TA3-T-VB - VBsemi MOSFETs製造商

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產品參數：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-N-Channel	650V		3.5V	9A			500mΩ	SJ_Multi-EPI

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-N-Channel						SJ_Multi-EPI

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-N-Channel	650V		3.5V	9A		SJ_Multi-EPI

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-N-Channel	650V		3.5V	9A		SJ_Multi-EPI

- **包裝：** TO220
- **配置：** 單路N溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）：** 650V
- **柵極-源極電壓（VGS）：** ±30V
- **閾值電壓（Vth）：** 3.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）：** 500mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）：** 9A
- **技術：** SJ_Multi-EPI

領域和模塊應用：

該產品適用於以下領域和模組：
1. **電源模組：** 由於其較高的漏極-源極電壓（VDS）和漏極電流（ID）能力，適用於電源模組的開關和控制。
2. **電動車充電模組：** 適用於電動車的充電模組，能夠承受高電壓和電流。
3. **電動機控制模組：** 可用於電動機控制模組中的開關和控制，具有較低的導通電阻和較高的電流能力。
4. **工業電源模組：** 用於工業電源模組中的開關和控制，具有較好的耐壓和耐電流能力。
5. **電動工具驅動模組：** 適用於電動工具的驅動模組，具有較低的導通電阻和較高的電流能力。

以上是10N40G-TA3-T-VB MOSFET產品的詳細介紹和應用領域說明。

*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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